STS20N3LLH6 دیتاشیت

STS20N3LLH6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STS20N3LLH6
حجم فایل 556.198 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت STS20N3LLH6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: DeepGATE™, STripFET™ VI
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: 8-SO
  • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Part Number: STS20
  • detail: N-Channel 30V 20A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO

محصولات مشابه